太阳能电池发电原理详解

  新闻资讯     |      2024-07-07 08:27

  太阳能电池发电原理详解光伏发电是根据光生伏特效应原理,利用太阳能电池将太阳光能直接转化为电能。不论是独立使用还是并网发电,光伏发电系统主要由太阳能电池板(组件)博鱼·boyu体育、界面的光生伏特效应而 将光能直接转变为电能。技术的关键元件是太阳能电池。太阳能电池经过串联后进 行封装保护可形成大面积的太阳电池 组件,再配合上功率等部件就形成了 光伏发电装置。

  太阳能电池: 制作太阳能电池主要是以半导体材料为基础,其工作原理是利用光电材料吸收光能后发 生光电于转换反应,根据所用材料的不同,太阳能电池可分为:

  图中,正电荷表示硅原子,负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子。当硅晶体中掺入其他的杂质,如硼、磷等,当掺入硼时,硅晶体中就会存在着一个 空穴,它的形成可以参照下图:

  图中,正电荷表示硅原子,负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子。而的表示 掺入的硼原子,因为硼原子周围只有3个电子,所以就会产生入图所示的蓝色的空穴, 这个空穴因为没有电子而变得很不稳定,容易吸收电子而中和,形成P(positive)型半导体。同样,掺入磷原子以后,因为磷原子有五个电子,所以就会有一个电子变得非常活跃, 形成N(negative)型半导体。的为磷原子核,红色的为多余的电子。如下图。

  N型半导体中含有较多的空穴,而P型半导体中含有较多的电子,这样,当P型和N型 半导体结合在一起时,就会在接触面形成电势差,这就是PN结。

  当P型和N型半导体结合在一起时,在两种半导体的交界面区域里会形成一个特殊的薄层), 界面的P型一侧带负电,N型一侧带正电。这是由于P型半导体多空穴,N型半导体多自由电子, 出现了浓度差。N区的电子会扩散到P区,P区的空穴会扩散到N区,一旦扩散就形成了一个由N 指向P的“内电场”,从而阻止扩散进行。达到平衡后,就形成了这样一个特殊的薄层形成电势差, 这就是PN结。

  当晶片受光后,PN结中,N型半导体的空穴往P型区移动,而P型区中的电子往N型区移动,从而形成 从N型区到P型区的电流。然后在PN结中形成电势差,这就形成了电源。(如下图所示)

  由于半导体不是电的良导体,电子在通过p-n结后如果在半导体中流动,电阻非常大,损耗也就非常大。但如果在上层全部涂上金属,阳光就不能通过,电流就不能产生,因此一般用金属网格覆盖p-n结(如图 梳状电极),以增加入射光的面积。另外硅表面非常光亮,会反射掉大量的太阳光,不能被电池利用。为此,科学家们给它涂上了一层反射系数非常小的保护膜(如图),将反射损失减小到5%甚至更小。一个电池所能提供的电流和电压毕竟有限,于是人们又将很多电池(通常是36个)并联或串联起来使用,形成太阳能光电板。

  2.硅太阳能电池的生产流程通常的晶体硅太阳能电池是在厚度350~450μm的高质量硅片上制成的,这种硅片从提拉或浇铸的硅锭上锯割而成。

  上述方法实际消耗的硅材料更多。为了节省材料,目前制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法,包括低压化学气相沉积(LPCVD)和等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺。此外,液相外延法(LPPE)和溅射沉积法也可用来制备多晶硅薄膜电池。化学气相沉积主要是以SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4或SiH4,为反应气体,在一定的保护气氛下反应生成硅原子并沉积在加热的衬底上,衬底材料一般选用Si、SiO2、Si3N4等。但研究发现,在非硅衬底上很难形成较大的晶粒,并且容易在晶粒间形成空隙。解决这一问题办法是先用 LPCVD在衬底上沉积一层较薄的非晶硅层,再将这层非晶硅层退火,得到较大的晶粒,然后再在这层籽晶上沉积厚的多晶硅薄膜,因此,再结晶技术无疑是很重要的一个环节,目前采用的技术主要有固相结晶法和中区熔再结晶法。多晶硅薄膜电池除采用了再结晶工艺外,另外采用了几乎所有制备单晶硅太阳能电池的技术,这样制得的太阳能电池转换效率明显提高。三、纳米晶化学太阳能电池在太阳能电池中硅系太阳能电池无疑是发展最成熟的,但由于成本居高不下,远不能满足大规模推广应用的要求。为此,人们一直不断在工艺、新材料、电池薄膜化等方面进行探索,而这当中新近发展的纳米TiO2晶体化学能太阳能电池受到国内外科学家的重视。以染料敏化纳米晶体太阳能电池(DSSCs)为例,这种电池主要包括镀有透明导电膜的玻璃基底,染料敏化的半导体材料、对电极以及电解质等几部分。

  电解质:I3-/I-如图所示,白色小球表示TiO 2,红色小球表示染料分子。染料分子吸收太阳光能跃迁到激发态,激发态不稳定,电子快速注入到紧邻的TiO 2导带,染料中失去的电子则很快从电解质中得到补偿,进入TiO 2导带中的电于最终进入导电膜,然后通过外回路产生光电流。

  纳米晶TiO 2太阳能电池的优点在于它廉价的成本和简单的工艺及稳定的性能。其光电效率稳定在10%以上,制作成本仅为硅太阳电池的1/5~1/10.寿命能达到 20年以上。但由于此类电池的研究和开发刚刚起步,估计不久的将来会逐步走上市场。